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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
53
左右 -66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
32
读取速度,GB/s
3,726.4
16.7
写入速度,GB/s
1,590.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2979
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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