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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston KKRVFX-MIE 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
53
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
47
读取速度,GB/s
3,726.4
15.0
写入速度,GB/s
1,590.1
10.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2486
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
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INTENSO 5641160 8GB
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