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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston KY7N41-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KY7N41-MID 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
53
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
35
读取速度,GB/s
3,726.4
15.5
写入速度,GB/s
1,590.1
11.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2869
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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