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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
3,726.4
15.9
写入速度,GB/s
1,590.1
12.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2989
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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