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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
53
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
47
读取速度,GB/s
3,726.4
11.1
写入速度,GB/s
1,590.1
7.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
1967
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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