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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
53
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
47
读取速度,GB/s
3,726.4
11.1
写入速度,GB/s
1,590.1
7.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
1967
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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