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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
53
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
48
读取速度,GB/s
3,726.4
11.7
写入速度,GB/s
1,590.1
10.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2568
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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