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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
53
左右 -8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
49
读取速度,GB/s
3,726.4
15.8
写入速度,GB/s
1,590.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2534
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
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