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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
53
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
35
读取速度,GB/s
3,726.4
15.0
写入速度,GB/s
1,590.1
12.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2841
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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