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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
53
左右 -43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
37
读取速度,GB/s
3,726.4
14.0
写入速度,GB/s
1,590.1
9.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2277
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GAB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
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