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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
53
左右 -104% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
26
读取速度,GB/s
3,726.4
12.5
写入速度,GB/s
1,590.1
10.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2693
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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