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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
53
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
29
读取速度,GB/s
3,726.4
17.3
写入速度,GB/s
1,590.1
13.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2832
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
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