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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
53
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
38
读取速度,GB/s
3,726.4
15.6
写入速度,GB/s
1,590.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2316
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
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