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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
53
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
35
读取速度,GB/s
3,726.4
14.9
写入速度,GB/s
1,590.1
10.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2613
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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