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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
34
读取速度,GB/s
3,726.4
15.4
写入速度,GB/s
1,590.1
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2739
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
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