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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
53
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
35
读取速度,GB/s
3,726.4
10.3
写入速度,GB/s
1,590.1
6.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
1851
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
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Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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