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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
64
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
64
读取速度,GB/s
3,726.4
17.5
写入速度,GB/s
1,590.1
9.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2205
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
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