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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
64
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
64
读取速度,GB/s
3,726.4
17.5
写入速度,GB/s
1,590.1
9.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2205
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
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