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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
53
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
39
读取速度,GB/s
3,726.4
15.0
写入速度,GB/s
1,590.1
7.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2245
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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