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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
53
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
40
读取速度,GB/s
3,726.4
15.8
写入速度,GB/s
1,590.1
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2959
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
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