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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
比较
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
总分
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
36
读取速度,GB/s
10.5
14.4
写入速度,GB/s
5.2
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1780
2489
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB RAM的比较
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
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