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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
比较
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
总分
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
总分
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
14.1
15.9
写入速度,GB/s
9.5
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2354
2813
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
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