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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
14.1
18.3
写入速度,GB/s
9.5
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2354
3535
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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