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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

总分
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

总分
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

差异 规格 评论

差异

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB 需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 48
    左右 46% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.1 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 48
  • 读取速度，GB/s
    14.1 left arrow 10.2
  • 写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 7.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2354 left arrow 2190

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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内存RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
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Kingston XN205T-HYD2 16GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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