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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
比较
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
总分
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
14.1
16.7
写入速度,GB/s
9.5
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2354
3008
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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