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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
12.6
16.7
写入速度,GB/s
7.2
13.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3168
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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