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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
25
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
18
读取速度,GB/s
12.6
20.8
写入速度,GB/s
7.2
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3402
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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