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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
12.6
15.9
写入速度,GB/s
7.2
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2972
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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