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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
12.6
19.1
写入速度,GB/s
7.2
14.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3509
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
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