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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

总分
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

差异 规格 评论

差异

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 26
    左右 4% 更低的延时
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.7 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.8 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    12.6 left arrow 17.7
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 14.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2051 left arrow 3055

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
内存RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
内存RAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
内存RAM
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
内存RAM
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
内存RAM