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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
50
左右 50% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
50
读取速度,GB/s
12.6
13.5
写入速度,GB/s
7.2
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2424
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Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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