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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.6
15.1
写入速度,GB/s
7.2
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2589
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
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