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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
12.6
17.7
写入速度,GB/s
7.2
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3119
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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