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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
12.6
15.4
写入速度,GB/s
7.2
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2771
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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