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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
12.6
16.5
写入速度,GB/s
7.2
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3142
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
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