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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.6
19.6
写入速度,GB/s
7.2
17.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
4100
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
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