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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
70
左右 64% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
70
读取速度,GB/s
12.6
15.7
写入速度,GB/s
7.2
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
1934
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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