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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
25
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
19
读取速度,GB/s
12.6
20.0
写入速度,GB/s
7.2
17.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3499
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kllisre 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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