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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
43
读取速度,GB/s
12.6
15.4
写入速度,GB/s
7.2
13.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2776
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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