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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
57
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
57
读取速度,GB/s
12.6
9.5
写入速度,GB/s
7.2
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2213
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
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