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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
12.6
9.8
写入速度,GB/s
7.2
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2229
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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