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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

总分
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

差异 规格 评论

差异

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 34
    左右 26% 更低的延时
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB 需要考虑的原因
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.1 left arrow 12.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.9 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    12.6 left arrow 13.1
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 12.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2051 left arrow 2608

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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最新比较

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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9965669-027.A00G 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
内存RAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
内存RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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内存RAM
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
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