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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.6
17.7
写入速度,GB/s
7.2
16.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3961
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
INTENSO 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
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