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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
12.6
10.9
写入速度,GB/s
7.2
10.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2587
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
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