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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
12.6
15.1
写入速度,GB/s
7.2
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2620
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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