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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB vs Kingston KHX2666C16/8G 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
总分
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
17.2
16.7
写入速度,GB/s
13.6
13.0
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3292
3208
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB RAM的比较
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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