RAM-Vergleich A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Gesamtnote

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

52 68

Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

5 4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,384.7 2,285.0

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

784 1037

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns