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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Motivi da considerare
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
68
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,384.7
2,285.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
68
52
Velocità di lettura, GB/s
4,165.3
5,635.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,285.0
2,384.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
784
1037
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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