RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
28
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3189
1989
AMD R538G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link