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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
28
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
28
读取速度,GB/s
18.4
13.2
写入速度,GB/s
12.3
9.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
1989
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lenovo 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
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