RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Vergleichen Sie
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
47
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2323
3158
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link