RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.2
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
3158
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link